9月25日，存储大厂SK海力士宣布，率先量产12层堆叠HBM3E，并预计将在年内向客户提供产品。SK海力士指出，12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。

而近日，除了SK海力士之外，美光、三星和铠侠三大存储厂商也向外宣布了利好消息，其中，美光公布了最新亮眼财报；铠侠获得1200亿日元贷款；三星也宣布正式量产首款1Tb四层单元（QLC）第九代V-NAND产品。

美光第四财季营收大增93%

当地时间9月25日，美国存储大厂美光公布截至2024年8月29日的2024财年第四季度和全年的业绩。在人工智能带来的存储芯片需求激增推动下，美光科技在2024财年第四季度营收取得十多年来最大涨幅，同时对下一财季的业绩预测也超出了华尔街的预期。

财报数据显示，截至2024年8月29日，美光当季营收同比增长93%至77.5亿美元，优于市场预期的76.6亿美元，其在上一季度的营收为68.1亿美元，去年同期为40.1亿美元；净利润8.87亿美元，优于市场预期9.5亿美元，去年同期净亏损14.3亿美元；每股收益0.79美元，市场预期0.81美元，去年同期每股亏损1.31美元。

图片来源：美光

美光表示，第四财季的收入同比增长93%，主要原因是强劲的人工智能需求推动了数据中心DRAM产品和业界领先的高带宽内存HBM的强劲增长。美光认为，HBM的整体市场规模将从自然年2023年的约40亿美元成长至2025年的250多亿美元，而美光也预计在自然年2025年之初，加大生产HBM3E 12hi产品，全年增加产品出货量。

同时，Micron科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra亦表示，在数据中心固态硬盘SSD销售的带动下，美光的NAND收入也创下新高，季度收入首次突破10亿美元。

从全年来看，美光2024财年全年实现营收251.1亿美元，而前一年为155.4亿美元；净利润7.78亿美元，摊薄后每股收益0.70美元。美光预测，2025财年第一季度营收将达到87亿美元（上下浮动2亿美元），将同样超出市场预期的83.2亿美元，并预计同期毛利率将跃升至月39.5%。

铠侠：获1200亿日元贷款

9月20日，NAND Flash存储大厂铠侠控股株式会社 (Kioxia Holdings）宣布，该公司及其子公司铠侠株式会社与三井住友银行、三菱日联银行和三井住友融资租赁有限公司达成了协议。

根据协议，三家金融机构将为铠侠提供合计1200亿日元的贷款。铠侠表示，本次融资金额将用于资助特定资本投资，包括与该公司在日本四日市和北上工厂的第8代BiCS FLASHTM相关的投资。

据悉，铠侠四日市和北上市工厂是和另一家存储大厂西数共同投资建设。其中，位于日本岩手县北上市的Fab2（K2）工厂也是当地第二家NAND闪存制造厂。

今年年初，铠侠和西数联合宣布，双方位于四日市和北上市的合资工厂获得政府高达1500亿日元的补贴，其中包括生产最新一代3D闪存的工厂。
7月，铠侠正式发布第八代BiCS FLASHTMQLC闪存，最高存储容量可达2Tb。铠侠指出，2Tb QLC存储器的诞生，将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长；同月，北上市工厂Fab 2（K2）正式完工，铠侠计划于2025年秋季在K2开始进行运营

铠侠指出，公司综合财务业绩自截至2024年3月31日的财季起已恢复盈利。而随着AI应用和数据中心的需求不断增长，铠侠预计闪存市场在中长期内将具有增长潜力。

三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产

据官方介绍，三星此次量产的QLC V-NAND产品采用了多项突破性技术，包括通道孔蚀刻技术、预设模具（Designed Mold）技术、预测程序（Predictive Program）技术和低功耗设计（Low-Power Design）技术。

图片来源：三星

基于上述技术，三星QLC第九代V-NAND产品位密度比上一代QLC V-NAND提升约86%；数据保存性能相比之前的版本提升约20%；写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%；数据读取功耗约分别下降约30%和50%。

产品应用方面，三星计划，将QLC第九代V-NAND的应用范围，从品牌消费类产品开始扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

AI应用及数据中心推动存储产业发展

从上述三大厂商公布的最新消息来看，人工智能AI、数据中心等应用均不约而同地被提及。而事实上，近年来，在人工智能浪潮的推动下，各大存储厂商均从中受益，这一点从市场研究机构TrendForce集邦咨询近期发布的厂商营收排名亦可窥探一二。

DRAM方面，集邦咨询8月中旬公布的第二季全球DRAM厂自有品牌内存营收排名显示，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM产业营收达229亿美元，季增24.8%。其中，三星受惠于平均销售单价季增17%至19%，位元出货量也小幅增加，带动DRAM营收成长至98.2亿美元，季增22%；美光营收也较上季增加14.1%，为45亿美元，平均销售单价季增达15%至16%。

NAND Flash方面，集邦咨询在9月上旬公布的研报显示，由于服务器终端库存调整接近尾声，加上AI推动了大容量存储产品需求，2024年第二季NAND Flash价格持续上涨，平均销售单价上涨了15%，总营收达167.96亿美元，较前一季增长了14.2%。

其中，三星在第二季时积极回应客户对企业级存储产品的需求。其第二季营收达62亿美元，季增长14.8%。铠侠亦因服务器需求略有改善，促使其位元出货量季增12%，第二季营收达23.26亿美元，季增27.7%；而美光在当季的NAND Flash营收达到19.81亿美元，季增15.2%。值得一提的是，上述三大厂商在当季NAND Flash位元平均销售单价上涨幅度均达20%。

此外，三星预估，其第三季出货量将优于市场整体水平，加上Enterprise SSD价格涨幅较高，将带动其第三季营收增长；美光认为，Enterprise SSD大容量产品的放量带动其第二季营收增长，未来将调整产品重心，第三季Enterprise SSD出货量预期将持续增长。

集邦咨询指出，第二季起所有NAND Flash供应商已恢复盈利状态，并计划在第三季扩大产能，以满足AI和服务器的强劲需求。

封面图片来源：拍信网