IR近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列

发布时间:2014-04-24  

IR近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。新器件提供插入式封装和表面贴装D2-PAK封装选择。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR的 60V StrongIRFET器件系列具有超低导通电阻,而且完全通过严格的行业级雪崩测试,以确保产品坚固耐用。新器件提供具有基准性能的MOSFET,针对工业市场需求进行了优化。”

规格

采用插入式封装的60V StrongIRFET

器件编号

BVDSS

25°C下的ID

VGS为10V时的最大导通电阻

VGS为10V时的栅极电荷

封装

IRFB7530

60V

195A

2.0

274

TO-220

IRFP7530

TO-247

IRFB7534

2.4

186

TO-220

IRFB7537

3.3

142

TO-220

IRFP7537

TO-247

IRFB7540

110A

5.1

88

TO-220

IRFB7545

85A

5.9

75

IRFB7546

58A

7.3

58

采用表面贴装D2-PAK封装的60V StrongIRFET

器件编号

BVDSS

25°C下的ID

VGS为10V时的最大导通电阻

VGS为10V时的栅极电荷

封装

IRFS7530-7P

60V

240A

1.4

236

D2-PAK-7

IRFS7534-7P

1.9

200

IRFS7530

195A

2.0

274

D2-PAK

IRFS7534

2.4

180

IRFS7537

3.3

142

IRFS7540

110A

5.1

88

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