10月29日,澜起科技宣布DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产。
据介绍,该系列芯片是DDR5内存模组的重要组件,包括寄存时钟驱动器 (RCD)、数据缓冲器(DB)、串行检测集线器 (SPD Hub)、温度传感器 (TS) 和电源管理芯片 (PMIC),可为DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等内存模组提供整体解决方案。
澜起科技表示,这次推出的DDR5第一子代内存接口芯片RCD/DB,支持的最高速率达4800Mbps,是 DDR4最高速率的1.5倍;接口电压低至1.1V,能耗更低;采用创新的信号校准协议及均衡技术,大幅提高了内存信号完整性。
据悉,与DDR4内存模组相比,DDR5内存模组在架构上进行了革新,除配置内存颗粒和内存接口芯片之外,还需要搭配其它专用配套芯片。澜起科技首次推出的DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub这三款配套芯片,可为DDR5内存模组提供多通道电源及管理、多点温度检测、I3C串行总线及路由等辅助功能。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。