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研发客服3月20日，普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称“普冉股份”）披露公司的新产品及技术研发进展情况。
据披露，普冉股份采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NOR Flash全系列产品研发完成并成为量产交付主力，晶圆良率达到95%以上，实现了对公司原有55nm工艺节点下的NOR Flash产品的升级替代，产品竞争力及晶圆产出率有效提升。其中L系列64Mb NOR Flash产品完成海外手机头部厂商TWS蓝牙耳机认证。技术储备的40nm以下新一代工艺完成试流片，进入产品和工艺优化阶段。
普冉股份采用浮栅ETOX工艺结构NOR Flash中大容量PY系列产品首颗开始量产出货，应用于可穿戴和安防等市场。车载EEPROM产品完成了AEC-Q100标准的全面考核，首先在车身摄像头和车载中控应用上实现了海外客户的批量交付。超大容量EEPROM系列开发完成，F系列产品支持SPI/I2C接口和最大4Mb容量，其中2Mb产品批量应用于高速宽带通信和数据中心领域。与代工厂战略合作开发的浮栅下一代技术进入测试芯片开发阶段。
另外，普冉股份新一代128Kb至512Kb摄像头模组EEPROM产品应用于海外手机头部厂商旗舰机型，已实现量产。支持下一代手机主控平台的1.2V摄像头模组EEPROML系列的128Kb产品率先进入市场，完成平台认证，并小批量交付首个手机客户项目。
针对“存储+”战略布局推进情况，普冉股份披露称，模拟产品方向上，内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片产品进入大批量供货。支持下一代主控平台的1.2VPD系列音圈马达驱动芯片产品完成开发、流片和测试，性能指标均符合规范要求，产品进入客户送样阶段。微控制器方向上，首颗32位微控制器芯片产品功能和性能测试通过，进入客户送样阶段。
普冉股份表示，新产品可面向工控、车载等应用领域，丰富了公司产品线，有助于巩固和提升公司的核心竞争力，形成新的增长点，对公司未来的发展将产生积极的影响；新产品的开发，使得公司有机会服务更多的头部客户，提升公司的市场地位，立足国内市场，参与全球市场竞争；在40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术的创新技术储备，使公司在存储器芯片及延伸领域均具备持续竞争力。
封面图片来源：拍信网
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