3月20日,普冉半导体(上海)股份有限公司(以下简称“普冉股份”)披露公司的新产品及技术研发进展情况。
据披露,普冉股份采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NOR Flash全系列产品研发完成并成为量产交付主力,晶圆良率达到95%以上,实现了对公司原有55nm工艺节点下的NOR Flash产品的升级替代,产品竞争力及晶圆产出率有效提升。其中L系列64Mb NOR Flash产品完成海外手机头部厂商TWS蓝牙耳机认证。技术储备的40nm以下新一代工艺完成试流片,进入产品和工艺优化阶段。
普冉股份采用浮栅ETOX工艺结构NOR Flash中大容量PY系列产品首颗开始量产出货,应用于可穿戴和安防等市场。车载EEPROM产品完成了AEC-Q100标准的全面考核,首先在车身摄像头和车载中控应用上实现了海外客户的批量交付。超大容量EEPROM系列开发完成,F系列产品支持SPI/I2C接口和最大4Mb容量,其中2Mb产品批量应用于高速宽带通信和数据中心领域。与代工厂战略合作开发的浮栅下一代技术进入测试芯片开发阶段。
另外,普冉股份新一代128Kb至512Kb摄像头模组EEPROM产品应用于海外手机头部厂商旗舰机型,已实现量产。支持下一代手机主控平台的1.2V摄像头模组EEPROML系列的128Kb产品率先进入市场,完成平台认证,并小批量交付首个手机客户项目。
针对“存储+”战略布局推进情况,普冉股份披露称,模拟产品方向上,内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片产品进入大批量供货。支持下一代主控平台的1.2VPD系列音圈马达驱动芯片产品完成开发、流片和测试,性能指标均符合规范要求,产品进入客户送样阶段。微控制器方向上,首颗32位微控制器芯片产品功能和性能测试通过,进入客户送样阶段。
普冉股份表示,新产品可面向工控、车载等应用领域,丰富了公司产品线,有助于巩固和提升公司的核心竞争力,形成新的增长点,对公司未来的发展将产生积极的影响;新产品的开发,使得公司有机会服务更多的头部客户,提升公司的市场地位,立足国内市场,参与全球市场竞争;在40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术的创新技术储备,使公司在存储器芯片及延伸领域均具备持续竞争力。
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