0.75 NA 突破芯片设计极限!Hyper-NA EUV 首现 ASML 路线

发布时间:2024-06-14  

IT之家 6 月 14 日消息,全球研发机构 imec 表示阿斯麦(ASML)计划 2030 年推出 Hyper-NA EUV ,目前仍处于开发的“早期阶段”。

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阿斯麦前总裁马丁・凡・登・布林克(Martin van den Brink)于今年 5 月,在比利时安特卫普(Antwerp)召开、由 imec 举办 ITF World 活动中,表示:“从长远来看,我们需要改进光刻系统,因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时,我们必须将所有系统的生产率提高到每小时 400 到 500 片晶圆”。

High-NA 将数值孔径 (NA) 从早期 EUV 工具的 0.33 NA 提高到 0.55 NA。而根据 van den Brink 在 imec 活动上展示的图片,该公司将在 2030 年左右提供 Hyper-NA,达到 0.75 NA。

Imec 高级图案设计项目总监 Kurt Ronse 表示,这是 ASML 首次将 Hyper-NA EUV 加入其路线图,他与 ASML 合作开发光刻技术已有 30 多年。IT之家附上相关图片如下:

Ronse 表示现阶段想要突破 0.55 NA 面临诸多挑战,其中问题之一是光偏振

Ronse 表示:“NA 一旦超过 0.55,由于偏振方向基本上会抵消光线,因此会破坏对比度”。

解决方案之一就是在光刻设备中加入偏振片,而这又会带来新的问题,偏振片会阻挡光线,降低能效,增加生产成本。

Hyper-NA 的另一个挑战是电阻

Ronse 表示:“在 0.55 NA 的情况下,我们就必须降低电阻。有了 Hyper-NA,情况会更糟。这将给蚀刻选择性带来更多挑战”。


文章来源于:电子产品世界    原文链接
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