5月16日,致真存储芯片制造项目正式举行开工奠基仪式。本次仪式标志着项目正式拉开建设序幕,进入实质性建设阶段。
致真存储芯片制造项目位于青岛市西海岸新区古镇口,占地面积50亩,将建设新一代磁性随机存储芯片加工工艺线,以加速磁存储芯片的产业化进程。项目将围绕存储芯片领域,吸引产业相关上下游企业进行落地布局。项目建成达产后,将实现月产400万颗高端芯片,年产值数十亿。
资料显示,致真存储致力于MRAM芯片的研发和制造。公司团队历经十余年,成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结,是国内首个80nm以下MRAM核心器件。公司自有国内首创8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线,实现产品全流程自主可控。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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