联电28nm正式授权大陆,冲击中芯国际份额

发布时间:2017-03-22  

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晶圆代工厂联电获准授权28 纳米技术予中国子公司联芯集成电路制造(厦门),联芯28 纳米预计第二季导入量产,将抢攻中国手机芯片市场。

联芯甫于去年底投产,目前以40 纳米制程技术为主,月产能约1.1 万片规模。

联电今天公告,获准技术授权28 纳米技术予中国子公司联芯,技术授权金额2 亿美元。联电表示,联芯将尽快导入28 纳米制程,预计第二季可进入量产,将抢攻中国手机芯片市场;联芯预计至今年底月产能将扩增至1.6 万片规模。

至于2 亿美元技术授权金,联电指出,将依进度认列,只因与联芯为母子公司关系,对损益无影响,仅有现金收入。

N-1规则,14nm量产后的推进

根据台湾规定,投资大陆的技术要比台湾的落后一代,也就是所谓的“N-1”规则,联电这次进入大陆,是因为其14nm正式投入量产。

23日也宣布,自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术,已成功进入客户芯片量产阶段,良率已达先进制程的业界竞争水平,此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

联电CEO颜博文表示,这次达成14nm量产的里程碑,象征联电成功携手客户,将先进技术导入市场,同时与其他客户的合作也在顺利进行中,将持续优化此制程,充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所具备的优势,以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

联电14纳米 FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准,速度较28nm增快55%,闸密度则达两倍,此外,功耗亦较28纳米减少约50%。 此14nm客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中,未来将因应客户需求,稳步扩充其14nm产能。

联电宣布自主研发的14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术, 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产,抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。

颜博文强调,14纳米FinFET制程效能竞争力已达业界标准,速度比28 nm增快55%,闸密度达两倍,而且芯片功耗也较28nm减少约50%。

28nm进攻大陆,中芯国际受冲击?

联芯集成电路是联电和厦门政府合作的12寸晶圆厂,计划开始于2015年,而到2016年6月,该工厂已经交付投产,并在7月底投入试产,良率也高达98%。在产能布建上,2016第4季月产能约达3千片,从2017年开始,逐季扩充产能,2018年第二季平均月产能就可达到2.5万片规模。

业界人士认为,联芯55/40纳米米制程可用来生产嵌入式芯片、CMOS影像感测器、通讯芯片等,高通将成为联芯主要客户之一。

目前,联电28纳米制程采用崭新的应力技术(SMT, t-CESL, c-CESL) 与嵌入式SiGe,以强化电子迁移率的表现,专为需要高效能与低功耗之应用产品所开发。目前已采用28HLP SiON 与28HPM/HPC HK/MG 制程量产多家客户产品。联电现正积极扩增28纳米产能,以满足客户对此广受欢迎制程的高度需求。

28HLP – 采用强化的SiON技术

联电高效能低功耗(HLP) 制程为40纳米平顺的制程移转途径,具备了便于设计采用,加速上市时程,以及优异的效能/成本比。针对有高速要求的客户应用产品,此制程提供了大幅提升的效能与功耗,速度可较业界其他晶圆专工厂提供的28nm SiON制程提升10%。

28HPM/HPC – 采用高介电系数/金属闸极堆叠技术

联电28HPM/HPC 技术广泛支援各种元件选项,以提升弹性及符合效能需求,同时针对多样的产品系列,例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板电脑、FPGA 及网通IC等。具备高介电系数/金属闸极堆叠及丰富的元件电压选项、记忆体位元组及降频/超频功能,有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。

在联芯进入28nm之后,因为联电的良率明显比中芯国际的稳定,而这个制程更是中端手机芯片和高端网络芯片的必备制程,他们进入大陆,势必会给中芯国际造成冲击。对于中芯来说,需要应对的问题又多了一个。

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