三星宣布大量采用 14 纳米 FinFET 制程生产入门级芯片

发布时间:2016-10-18  

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半导体行业观察三星电子 30 日宣布,将开始大规模的采用 14 纳米 FinFET 制程开始大量生产入门款的手机芯片。该代号为 Exynos 7570 的芯片,预计将应用于中低端智能手机以及物联网(IOT)的产品使用上。不过,目前三星电子尚未正式公布未来究竟是哪些手机型号将会采用该款芯片。

根据韩国英文媒体 《THE KOREA TIMES》 的报导,三星电子在 30 日正式宣布将大规模的采用 14 纳米 FinFET 制程,开始生产入门款的手机芯片。而该代号为 Exynos 7570 的芯片,内建 4 个 Cortex-A53 CPU 核心,号称相比于 28 纳米制程的产品性能提升 70% 、功耗降低 30% ,而且减少 20% 芯片面积。

另外,Exynos 7570 还最高支持 WXGA 1280×800 分辨率的屏幕,支持 1080p 高画质影像录制和播放,并且也支持 1,300 万像数的后置相机镜头,以及 800 万像数的前置相机镜头。而其中还配合电源管理元件、射频元件等,使得 Exynos 7570 平台的芯片总面积能比上代减少了 20% ,可用于设计更轻薄的手机。

据了解,三星的 Exynos 7570 芯片还整合了成 LTE Cat.4 双载波聚合基频,并且它支持 Wi-Fi 、蓝牙、FM、GNSS 导航(全球导航卫星系统)等无线技术,用以降低芯片功耗、成本、面积尺寸。三星电子的逻辑芯片业务事业群副总裁 Hur Kook 表示,借 Exynos 7570 芯片的推出,更多的客户将能享受到借 14 纳米 FinFET 制程所改善的芯片功能。

而三星电子虽然并没有明确说明,未来该芯片将用于那些款式的手机上。但是,根据业界人士透露,三星 Galaxy On5 ,以及新一代 Galaxy J 系列都有望搭载 Exynos 7570 处理器,而且在 2016 年年底前就能推出。

(首图来源:三星官网)

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