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ADG1219是一款单芯片 i CMOS ® 器件，内置单刀双掷（SPDT）开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。每个开关均为先开后合式。
i CMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， i CMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
这些多路复用器具有超低电容和极低的电荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。图2显示，在器件的整个信号范围内电荷注入极小。同时， i CMOS结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。
应用产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADG1219BRJZ-REEL7 |
8-Lead SOT-23
|
|
根据型号筛选
重置过滤器
产品型号
产品生命周期
PCN
8月 16, 2017
- 16_0291
CANCELLED: Addition of Amkor Philippines as Alternate Assembly Site for 5L, 6L and 8L SOT23 Chip-On-Lead Packages
2月 4, 2010
- 10_0009
Halogen Free Material Change for SOT_23 Products
ADG1219BRJZ-REEL7
量产
11月 16, 2009
- 06_0157
Qualification of the 8" H6 Thin Film BiPolar Wafer Fab Process at Analog Devices, Limerick, Ireland
ADG1219BRJZ-REEL7
量产
1月 27, 2009
- 09_0013
Changes to Idd Specifications on ADG12xx, ADG14xx and ADG13xx datasheets
ADG1219BRJZ-REEL7
量产
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PCN
8月 16, 2017
- 16_0291
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1月 27, 2009
- 09_0013
Changes to Idd Specifications on ADG12xx, ADG14xx and ADG13xx datasheets
工具及仿真模型 2
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