近日据外媒报道，英特尔公司在封装设计中开发了一种嵌入式电感的全集成稳压器（Fully Integrated Voltage Regulators，FIVR），用于控制芯片在3D-TSV堆叠系统中的功率。

据悉，电压控制器对于3D封装至关重要，后者将基于工作负载的最优流程节点实现的chiplet封装在一起。这是一种灵活且经济高效的方法，可以创建多种配置，但需要更复杂的电源控制。

英特尔在俄勒冈州和亚利桑那州的团队使用0.9nH-1.4nH 3D-TSV基于封装嵌入式电感器开发了一种FIVR，其效率比低退出调节器（LDO）高37.6%，在10mA-1A负载范围内实现了平坦的效率，而无需相互通信。

消息显示，FIVR在基于22nm工艺的裸片上实现，采用三种TSV友好型电感结构，具有多面积与效率的权衡选项。这些很容易并行地构建模块化设计，可以服务于广泛而不同的chiplet。

据悉，该设计将在最近的VLSI 2022研讨会上进行了讨论。

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