【导读】据台媒工商时报消息,三星、SK海力士、美光的库存离正常水平仍有一段距离,三大原厂扩大减产,NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象,存储合约价Q4有望调涨0~10%。
据台媒工商时报消息,三星、SK海力士、美光的库存离正常水平仍有一段距离,三大原厂扩大减产,NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象,存储合约价Q4有望调涨0~10%。
业界人士分析,拥有最大市占率的龙头厂三星,决定进一步削减产能利用率至50%,欲使库存尽早正常化,现阶段加大减产,预期效果将于2024年上半年反映。
就DRAM来看, DRAM现货价已于2023年9月初落底,并呈现反弹趋势,其中以DDR5最先反弹,而市场最多库存的DDR4 8G,也已由微幅下滑,转为开始上扬,现在DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨,DRAM谷底周期接近尾声,并且近期已有原厂宣布调升合约价,Q4合约价有机会向上,将有0~5%涨幅。
从市场供需来看,供不应求将加速消耗先前库存,涨价趋势将持续到2024年,业界人士预估,NAND Flash第四季价差持续收敛,并有机会出现货价与合约价黄金交叉,预估第四季产品平均单价涨幅为5~10%。
现在市场大都预期Q4报价上涨并期待双十一的销售。
其实目前存储报价上涨主要来自上游减产,若后续需求没有跟上,将不利报价动能,若需求真的增加,原厂有可能恢复产能,供给增加,使报价要再上涨有难度。就近期而言,减产造成报价反弹,有助内存厂的获利改善。
此外,双十一年度促销即将展开。有存储模组厂商透露,虽然市场消费需求欲振乏力,但受惠近期存储价格上涨,渠道端库存达健康水位,即使短期需求并未明显复苏,但预期上游原厂将延续积极减产策略,使终端增加备货的意愿加强,以确保未来供货稳定。
由于渠道端的库存水位接近见底,且惜售低价囤货的预期心态强烈,不倾向采取激烈促销竞争,因此渠道商乐观预期双十一可望优于618档期的出货表现,延续至2024年春节。
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