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研发客服电子元件及存储装置株式会社（“”）近日宣布，推出采用小巧纤薄的WSON4封装的“TLP3475W”。它可以降低高频信号中的插入损耗，并抑制功率衰减[1]，适用于使用大量继电器且需要实现高速信号传输的的引脚电子器件。该产品于近日开始支持批量出货。
本文引用地址：TLP3475W采用了经过优化的封装设计，这有助于降低新型的寄生电容和电感。降低插入损耗的同时还可将高频信号的传输特性提高到20GHz（典型值）[2]——与东芝现有产品TLP3475S相比，插入损耗降低了约1/3[2]。
TLP3475W采用厚度仅为0.8mm（典型值）的小巧纤薄的WSON4封装，是目前业界最小的[3]，其成功的改善了高频信号传输特性。它的厚度比东芝的超小型S-VSON4T封装还薄40%，且支持在同一电路板上贴装更多产品，将有助于提高测量效率。
东芝将继续扩大其产品线，为更高速和更强大功能的提供支持。
S21插入损耗特性
■ 应用：
- （高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）
- 探测卡
- 测量设备
■ 特性：
- 业界最小的[3]WSON4封装：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值）
- 改善高频信号的传输：当插入损耗（S21）＝–3dB时，f＝20GHz（典型值）
- 常开功能（1-Form-A）
■ 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 |
TLP3475W |
|||
封装 |
名称 |
WSON4 |
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尺寸（mm） |
1.45Í2.0（典型值），厚度＝0.8（典型值） |
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绝对最大额定值 |
断态输出端电压VOFF（V） |
60 |
||
导通电流ION（A） |
0.4 |
|||
导通电流（脉冲）IONP（A） |
1.2 |
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工作温度Topr（℃） |
–40至110 |
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耦合电气特性 |
触发LED电流IFT（mA） |
最大值 |
3.0 |
|
导通电阻RON（Ω） |
典型值 |
1.1 |
||
最大值 |
1.5 |
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电气特性 |
输出电容COFF（pF） |
最大值 |
20 |
|
开关特性 |
导通时间tON（ms） |
@RL＝200Ω、 VDD＝20V、 IF＝5mA |
最大值 |
0.25 |
关断时间tOFF（ms） |
0.2 |
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隔离特性 |
隔离电压BVS（Vrms） |
最小值 |
300 | |
注：
[1] 当频段范围在几百兆赫兹至上万兆赫兹时。
[2] 信号通过输出MOSFET时功率衰减比（插入损耗）为–3dB的频段。
[3] 适用于光继电器。截至2023年10月的东芝调查。