特性
- 1024位EEPROM存储器分为四页，每页256位
- 单个存储器页可以受到永久写保护或置于EPROM仿真模式（“写入0”）
- 开关点迟滞和滤波可优化存在噪声时的性能
- IEC 1000-4-2 4级ESD保护（+8kV接触放电，+15kV空气放电，典型值）
- 在4.5V至5.25V电压范围内读取和写入（-40°C至+125°C）
- 使用1-Wire协议通过15.4kbps的单个数字信号与主机进行通信
- 符合AEC-Q100 1级认证要求
- 还提供工业温度范围的标准版本(DS2431)
DS2431-A1是DS2431的AEC-Q100 1级认证版本。两个版本的逻辑行为相同。DS2431-A1是一款1024位1-Wire ® EEPROM芯片，其结构为四个存储器页，每页为256位。数据被写入8字节暂存区，经过验证，然后复制到EEPROM存储器。作为一个特殊特性，四个存储器页可以单独进行写保护或置于EPROM仿真模式，其中的位只能从1更改为0状态。DS2431-A1通过单导线1-Wire总线进行通信。通信遵循标准1-Wire协议。每个器件都有自己的唯一64位ROM注册编码，该注册编码不可更改且出厂时已印刻到芯片中。注册编码用于在多点1-Wire网络环境中对器件进行寻址。
应用
- 配件/PCB标识
- 汽车电缆组件识别
- 汽车传感器识别和校准数据存储
数据手册 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| DS2431P-A1+ |
Thin Small-Outline C-Lead
|
|
|
| DS2431P-A1+T |
Thin Small-Outline C-Lead
|
|
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 | ||
|---|---|---|---|---|
|
1-Wire存储器（EPROM、EEPROM、ROM） 1 |
||||
|
量产 |
1024位1-Wire EEPROM |
|||
.svg?rev=fd385c90e2cf4716ae9a8c8d20e6b8e3&la=zh&h=24&w=24&hash=7CDDC996281D9E966D391D97E93C6727){kind=icon}
