特性
- 宽 V IN 范围:4.5V 至 38V
- V OUT 范围:0.6V 至 5.5V
- 输出准确度:在 25°C 时为 ±0.25%,在整个温度范围内为 ±0.67%
- 差分输出检测允许高达 500mV 的线路损失
- 快速负载瞬态响应
- t ON(MIN) = 20ns,t OFF(MIN) = 90ns
- 受控接通时间谷值电流模式架构
- 频率可编程范围为 200kHz 至 2MHz,而且可同步至外部时钟
- R SENSE 或电感器 DCR 电流检测
- 过压保护和电流限值折返
- 电源良好输出电压监视器
- 输出跟踪或可调软起动功能
- 外部 V CC 输入用于旁路内部 LDO
- 20 引脚 (3mm x 4mm) QFN 封装和 TSSOP封装
LTC
®
3833 是一款面向高功率应用的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器。该器件用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控接通时间谷值电流模式架构在稳态操作中实现了快速瞬态响应及恒定频率切换,这与 V
IN
、V
OUT
和负载电流无关。
差分输出电压检测功能与一个精准型内部基准相组合,提供了 ±0.67% 输出调节准确度以及对输出终端中源自线路损失并高达 ±500mV 的偏差进行校正的能力。该器件的工作频率可利用一个外部电阻器在 200kHz 至 2MHz 之间进行设置,而对于那些对噪声和 EMI 敏感的应用则可使工作频率同步至一个外部时钟。
非常低的t
ON
和 t
OFF
时间分别实现了接近于 0% 和接近于 100% 的占空比。这款器件可以提供可编程软起动或输出电压跟踪功能。安全功能包括输出过压保护、具折返的可编程电流限值和一个电源良好输出信号。
Applications
- 分布式电源系统
- 负载点转换器
- 计算系统
- 数据通信系统
产品选型卡 1
新闻 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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LTC3833EFE#PBF | 20-Lead TSSOP w/ EP |
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LTC3833EFE#TRPBF | 20-Lead TSSOP w/ EP |
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LTC3833EUDC#PBF | 20-Lead QFN (3mm x 4mm x 0.75mm w/ EP) |
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LTC3833EUDC#TRPBF | 20-Lead QFN (3mm x 4mm x 0.75mm w/ EP) |
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LTC3833IFE#PBF | 20-Lead TSSOP w/ EP |
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LTC3833IFE#TRPBF | 20-Lead TSSOP w/ EP |
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LTC3833IUDC#PBF | 20-Lead QFN (3mm x 4mm x 0.75mm w/ EP) |
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LTC3833IUDC#TRPBF | 20-Lead QFN (3mm x 4mm x 0.75mm w/ EP) |
|
根据型号筛选
重置过滤器
产品型号
产品生命周期
PCN
4月 6, 2022
- 22_0068
Laser Top Mark for ETSSOP and TSSOP Packages Assembled in ADPG [PNG] and UTL
LTC3833EFE#PBF
量产
LTC3833EFE#TRPBF
量产
LTC3833IFE#PBF
量产
LTC3833IFE#TRPBF
量产
7月 31, 2020
- 20_0245
Notification of Wafer Fab Location Change for 0.6µm BICMOS Process Devices from ADI Milpitas (Hillview) to Vanguard Int. (Taiwan)
LTC3833EFE#PBF
量产
LTC3833EFE#TRPBF
量产
LTC3833EUDC#PBF
量产
LTC3833EUDC#TRPBF
量产
LTC3833IFE#PBF
量产
LTC3833IFE#TRPBF
量产
LTC3833IUDC#PBF
量产
LTC3833IUDC#TRPBF
量产
根据型号筛选
重置过滤器
产品型号
产品生命周期
PCN
4月 6, 2022
- 22_0068
Laser Top Mark for ETSSOP and TSSOP Packages Assembled in ADPG [PNG] and UTL
LTC3833EFE#PBF
量产
LTC3833EFE#TRPBF
量产
LTC3833IFE#PBF
量产
LTC3833IFE#TRPBF
量产
7月 31, 2020
- 20_0245
Notification of Wafer Fab Location Change for 0.6µm BICMOS Process Devices from ADI Milpitas (Hillview) to Vanguard Int. (Taiwan)
LTC3833EFE#PBF
量产
LTC3833EFE#TRPBF
量产
LTC3833EUDC#PBF
量产
LTC3833EUDC#TRPBF
量产
LTC3833IFE#PBF
量产
LTC3833IFE#TRPBF
量产
LTC3833IUDC#PBF
量产
LTC3833IUDC#TRPBF
量产
部分模型 | 产品周期 | 描述 | ||
---|---|---|---|---|
PowerPath、理想二极管和负载开关 1 |
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推荐新设计使用 |
具反向输入保护功能的理想二极管控制器 |
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浪涌抑制器、过压和过流保护 1 |
||||
推荐新设计使用 |
具电流限制功能的高电压浪涌抑制器 |
|||
数字电源系统管理器 1 |
||||
推荐新设计使用 |
具有精确输出电流的 4 通道 PMBus 电源系统管理器 |
|||
双电源监控器 1 |
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推荐新设计使用 |
36V、纳安级电流、两输入电压监视器 |
评估套件 4
DC1640A-A
LTC3833EUDC Demo Board | 4.5V ≤ VIN ≤ 14V, VOUT = 1.5V @ 20A, Inductor DCR Sensing
DC1640A-B
LTC3833EUDC Demo Board | 4.5V ≤ VIN ≤ 14V, VOUT = 1.5V @ 20A, RSENSE
DC1516A-A
LTC3833EFE演示板 | VIN = 4.5V至24V,VOUT1 = 1.5V (15A),电感DCR检测,89.4%效率
DC1516A-B
LTC3833EFE Demo Board | VIN = 4.5V to 24V, VOUT1 = 1.5V @ 15A, RSENSE
工具及仿真模型 2
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