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研发客服【2022年12月7日，德国慕尼黑讯】科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和近日宣布，两家公司准备将的可变电阻式记忆体制程技术引入至的新一代MCU AURIX™微控制器中。
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自首个发动机管理系统问世以来，嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元（ECU）的主要构建模块。这些微控制器是打造绿色、安全和智能汽车所不可或缺的组成部分，被应用于驱动系统、车辆动态控制、驾驶辅助和车身应用中，助力汽车领域在电气化、全新电子电气（E/E）架构和自动驾驶方面实现了重大创新。目前，市场上的大多数MCU系列均采用嵌入式闪存技术。作为下一代嵌入式存储器，可以进一步扩展至28nm及以上。
AURIX TC4x微控制器产品性能的可扩展性与虚拟化、安全和网络功能方面的最新趋势相结合，以支持新一代软件定义汽车和全新E/E架构。英飞凌与成功地将引入至汽车领域，为AURIX微控制器建立了更加广泛的技术与供应基础。具有很高的抗干扰性并且允许在不需要擦除的情况下进行逐位输入，其耐久性和数据保持性能堪比闪存技术。
台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang博士表示：“英飞凌和台积电长期以来一直保持着成功的合作关系，比如在第一代AURIX TC2x产品的合作。我们在RRAM NVM技术领域也合作了近十年，涵盖了各种不同的应用。此次为TC4x引入RRAM将为MCU的进一步小型化开辟新的可能性。我们十分高兴能与英飞凌这样领先的企业展开合作。”
英飞凌科技高级副总裁兼业务总经理Thomas Boehm表示：“AURIX TC3x作为一款倍受青睐的已经在许多应用领域得到了认可。基于台积电RRAM技术打造的AURIX TC4x将凭借更高的ASIL-D性能、更加强大的AI功能以及包括10Base T1S以太网和CAN-XL等在内的最新的网络接口，进一步扩大这一领先优势。RRAM技术为提高性能、减少功耗和节约成本创造了巨大的潜力。”
供货情况
英飞凌正在向主要客户提供基于台积电28nm eFlash技术的AURIX TC4x系列样品。首批基于28nm RRAM技术的样品将在2023年底前提供给客户。
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