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研发客服4月19日，无锡市发展和改革委员会官网披露了重大项目“无锡华虹集成电路一期扩能”的相关信息。
信息显示，无锡华虹集成电路一期扩能的项目单位为华虹半导体（无锡）有限公司，项目建设内容及规模为形成一条工艺等级90-65/55nm、月产能达到6.5万片的12吋特色工艺集成电路芯片生产线。建设起止年限为2021年，计划总投资52亿元，当年计划投资52亿元。
图片来源：无锡市发改委官网截图
根据此前资料，华虹半导体（无锡）有限公司承担建设华虹无锡集成电路研发和制造基地，一期项目（华虹七厂）投资25亿美元，建设一条月产能4万片的12英寸集成电路生产线，该项目已于2019年9月建成投片。
华虹半导体2020年年报显示，2020年是华虹半导体（无锡）有限公司12吋晶圆厂建成投产的第二年，机台搬入进度、技术研发进度、客户拓展进度均大幅领先于原计划。嵌入式闪存、逻辑射频与功率器件三大平台已实现持续量产出货。2020年，月投片量超2万片。
展望2021年，华虹半导体表示，公司将延续「IC+Discrete」的战略方针，充分运用「8吋+12吋」的产能布局优势，持续优化8吋产品组合，同时推进12吋扩产。12吋背照式CIS图像处理芯片、BCD电源管理芯片、标准式存储器、以及12吋IGBT和超级结高压功率器件等多个新产品将于2021年重磅入市，引领公司另一波成长。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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