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研发客服近期，网络上出现“小米澎湃P1充电芯片是买成品贴牌”的传闻，对此小米代工厂商上海南芯半导体（以下简称“南芯半导体”）2月8日发表了澄清说明，正式做出回应。
南芯半导体指出，小米澎湃P1充电芯片由小米自研设计、南芯半导体代工，内部代号为SC8561，实现120W单电芯充电，具备超高压4：1充电架构，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。
南芯半导体去年9月发布的充电芯片代号为南芯SC8571，为超高压4：2充电架构，可实现120W双电芯充电，南芯半导体表示，两款芯片拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。
资料显示，澎湃P1是小米第三颗自研芯片，于2021年12月28日亮相，搭载在小米12 Pro年度旗舰智能手机上。
小米董事长兼CEO雷军介绍，澎湃芯片P1历经18个月研发，实现了120W单电芯解决方案，难度远超过120W双电芯方案：电路设计复杂2倍，模式切换控制逻辑复杂7倍，启动和保护电路复杂9倍，驱动电路设计复杂6倍。
在澎湃P1芯片发布之前，小米还推出过澎湃S1、澎湃C1自研芯片，澎湃S1是手机SOC芯片，采用28纳米工艺，定位中端，搭载在小米5C手机上。
澎湃C1是ISP（图像信号处理）芯片，搭载在小米首款折叠屏手机MIX FOLD上，该款芯片拥有双滤波器配置，可以实现高低频信号并行处理，同时配合自研算法，可将影像的3A（AF、AWB、AE）表现大幅提升。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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