技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服据无锡日报报道，位于宜兴的中环领先半导体高速低功耗集成电路用高端硅基材料研发生产项目，近日传来了新的动态。
据悉，在中环领先半导体高速低功耗集成电路用高端硅基材料研发生产项目施工现场，工人们正进行新建厂房屋面防水、外墙维护、机电安装和改造厂房设备安装，预计明年一季度正式投产。
今年1月17日，宜兴经济技术开发区举行重大项目集中开工仪式，其中包括中环领先半导体高速低功耗集成电路用高端硅基材料研发与生产项目。
宜兴发布消息显示，项目总投资50.67亿元，利用中环领先厂区预留用地新建厂房，建成后将主要新增集成电路用8英寸抛光片延伸产品产能，应用于高速低功耗集成电路相关产品。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关文章
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战(2023-08-04)
问题自电子学早期就一直存在。幸运的是，我们有一个众所周知的解决方式：隔离。在嘈杂的房间中，隔离需要在每个人的周围都放置隔音板；而在集成电路上，通常可以通过更好的介电薄膜来实现隔离。
其中“更好”的介电薄膜不仅仅意味着更低的介电常数......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战;
来源：内容来自半导体科技评论 ，作者温德通 ，谢谢。
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时......
采用多层电路结构来优化射频性能的设计概念(2023-12-21)
底层（第4层）作为接地层，两个内层（第2层和第3层）作为耦合信号导体层。由于耦合强度会随着电路材料介电常数（Dk）的增加而增加，因此，如果在介电常数较高的电路材料上制造两个内导体层，则可......
什么是材料的除气？什么时候必须要考虑它？(2021-08-03)
大值是3001半固化片，这是一种相对介电常数为2.28的热塑性氯氟共聚物，设计用于粘合多个基于PTFE的电路板以形成多层电路。尽管如此，它的TML测试值也仅为0.13%，远低于美国宇航局1.0%的上限，而......
SABIC特材，助力高质量5G通信与节能减排的“关键先生”(2021-09-26)
组合正是解决这一问题的良方，其在不同的环境下均可提供低 Dk（介电常数）和 低Df （介电耗损），以及出色的耐高温特性和机械特性。”
据了解，这主要得益于这些基于聚苯醚（PPE）的树脂比重非常低，可以......
新能源电机绝缘系统关键参数-PDIV(二)(2024-07-23)
)，t为绝缘厚度，εr为材料相对介电常数。
注：介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为相对介电常数（relative permittivity......
北方华创高介电常数原子层沉积设备获批量订单(2024-03-21)
/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。
北方华创表示，该工艺在45nm及以下节点占据核心地位，CVD/ALD（ 原子层沉积 ）工艺设备成为HKMG工艺的重要支撑。
封面图片来源：拍信网......
如何提高混合集成电路的电磁兼容性(2023-01-19)
）是由半导体集成工艺与厚（薄）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外......
微波频段介电特性的测量(2023-04-04)
特性的场景，这里不再赘述。
材料的介电特性与通常所说的相对介电常数有所区别，一般地，材料介电特性用复介电常数表示，而相对介电常数是复介电常数的实部。实际应用中，出于方便考虑，材料介电常数通常相对于真空介电常数......
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质(2024-09-14)
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质;近日，市场监管总局批准建立平面结构纳米线宽标准物质（[2024]国标物证字第5975号）和立体结构纳米线宽标准物质（[2024]国标......