据彭博社报道，三星电子将获得美国《芯片法案》超60亿美元的补贴。而美国政府做出这一计划出于支持三星在德克萨斯州的项目投资所作。

报道补充道：“美国联邦政府的资金支援将与美国国内相当规模的追加投资并行”，“不确定追加投资将在何处执行。”不过这一金额超过了美国政府计划向台积电补贴的50亿美元。

2021年，三星计划在美国德克萨斯州泰勒市投资170亿美元来建设晶圆代工新工厂，据悉，由于美国当地建设费用都有所提升等原因，该新工厂预计到竣工为止，三星的投资金额将增加至200亿美元左右。

台积电计划在美国亚利桑那州新建两座工厂，总投资高达400亿美元，第一座晶圆厂原计划将在2024年投产；第二座晶圆厂也将尽快在2026年投入生产3nm工艺的芯片。不过台积电已经宣布，将推迟在美国亚利桑那州工厂的投产时间，台积电董事长刘德音（Mark Liu）表示，台积电在亚利桑那州斥资400亿美元的第二工厂投资项目遇到了挑战，不过工厂的建设依旧在继续，台积电只是将工厂落成时间线推迟至2027年或2028年，同时，该工厂将生产的芯片类型也尚未确定，这将受到客户需求以及政府相关鼓励措施的影响。

在这种情况下，三星电子获得的补助金比台积电更多，有可能与三星投资进行速度和追加投资有关。三星电子以今年年末启动为目标，正在加快工厂建设速度。相反，台积电将工厂开工时间从年末推迟到明年上半年，第二家工厂的开工时间也被推迟。拉蒙多部长上个月表示：“决定把优先顺序放在2030之前能开始运营的项目上”，“为了支援10年后才能开工的项目，拒绝今年能取得成果的项目是没有责任感的。”

尽管美国期望通过补助金来刺激更多芯片大厂来美国本土建厂，增强产能扩增，但美国却在补贴这件事上一直不尽如人意。

据悉，英特尔获得35亿美元的拨款补助，资金为期三年，将主要用于“Secure Enclave”（安全隔离区）计划，其中，负责根据《芯片和科学法案》拨款的美国商务部此前只负责其中的10亿美元，有消息称，美国国防部终止了向半导体巨头英特尔拨款25亿美元的计划，并将弥补缺口的责任推给了美国商务部。

微芯科技在今年获得了1.62亿美元，其中9000万美元用于改善其位于科罗拉多州的工厂，另外7200万美元用于扩建位于俄勒冈州格雷沙姆的工厂。格芯获得了15亿美元，用于扩大其在纽约马耳他的现有晶圆厂。

美国商务部长雷蒙多表示，大多数寻求美国政府补贴的芯片公司，最后得到的补贴将大大低于他们申请的数额，因为美国政府收到了累计600多份意向书，超过700亿美元的补贴，是计划发放补贴规模280亿美元的两倍多。

美国商务部目前优先考虑扶持那些将在2030年投入运营的项目，而不再喜欢长期项目。