【导读】业界数据显示，随着三星、美光等制造商减产效果显现，外加过剩库存消化，半导体存储芯片价格的涨势已经确定。其中代表性DRAM价格出现了两年半以来的首次上涨。

业界数据显示，随着三星、美光等制造商减产效果显现，外加过剩库存消化，半导体存储芯片价格的涨势已经确定。其中代表性DRAM价格出现了两年半以来的首次上涨。

DRAM产品中，11月代表性产品DDR4 8Gb大宗交易价格为每片1.65美元左右，较10月上涨11%，为2021年6月以来的首次上涨；NAND产品中，2023年10-12月代表性TLC产品256Gb价格为每片1.85美元左右，较上一季上涨12%，为9个季度以来首次呈现上涨。

消息称因PC、智能手机需求低迷，三星、美光、SK海力士、铠侠等存储芯片厂商自2022年下半年相继进行减产，试图恢复价格。日本电子产品商社指出，“（存储芯片）库存过剩情况缓解，减产效应终于显现。”

DRAM、NAND买家以稳定采购优先，因此能够接受涨价扩大。某家PC厂商负责人透露，因存储芯片厂商称“价格维持低水平的话，不会出货”，因此别无选择，只能接受一定程度的涨价。

据悉，半导体行业每隔3~4年会出现一次兴衰交替的“硅周期（Silicon Cycle）”，而目前市场普遍认为2023年为周期底部，2024年将好转。

TrendForce集邦咨询近期预计，移动设备DRAM、NAND（eMMC、UFS）存储芯片价格未来将进一步上涨，2024年第一季度环比涨幅将扩大至18~23%。

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