3月28日，硅智财供货商力旺电子与晶圆制造厂商联华电子共同宣布，力旺的可变电阻式存储器(RRAM)硅智财已通过联电22纳米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式内存解决方案，未来双方也将持续合作开发车用规格的RRAM。

力旺电子提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb信息储存区块和内部修复与错误侦测/修正等关键功能，可用于IoT设备中的微控制器和智能电源管理IC的编码储存，可支持人工智能之内存内运算架构。联电提供22纳米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。

力旺电子技术长暨第二事业群总经理林庆源表示，对40纳米、22纳米和高阶制程而言，RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式内存选项。力旺的下一个RRAM开发目标是对应汽车应用需求，在22纳米 0.8V/2.5V 平台实现更高的储存密度(16Mb)、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。此外，公司继续推进在0.8V/1.8V ULP上的开发。凭借其用于读取和写入模式的低工作电压，力旺的RRAM将成为主流技术平台上最具成本效益的eFlash解决方案，并可扩展至更多制程节点。

力旺电子的RRAM IP具有一万次覆写能力和长达10年的数据保留，并可承受高达105度的高温。这款RRAM IP设计具备友善的接口、完整的用户模式和测试模式，并可在0.8V/2.5V标称双电压接口下进行编程。RRAM不需对前端制程做额外调整，并采用低温后端制程，几乎不会产生额外的热预算。与分离闸闪存(split-gate Flash)相比，RRAM具有相对简单的结构、使用较少层的光罩、较友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在对性能要求相对严格的汽车应用中，RRAM与MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

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