【导读】美光日前宣布成功量产最新一代HBM高带宽存储产品HBM3E，并将于今年为英伟达H200 GPU供货。美光公司高管表示，这背后离不开中国台湾供应链的支持。

美光日前宣布成功量产最新一代HBM高带宽存储产品HBM3E，并将于今年为英伟达H200 GPU供货。美光公司高管表示，这背后离不开中国台湾供应链的支持。

随着人工智能（AI）的发展，HBM芯片的市场需求量大增，业界积极推动技术进步以及产能提升。美光科技副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示，中国台湾供应链合作伙伴的支持，是美光提前实现HBM3E量产的原因之一。从产品设计阶段开始，美光便与供应链伙伴紧密合作，中国台湾的伙伴包括IP提供公司，他们的技术帮助加快HBM与GPU之间的互联。

此外，台积电在先进封装工艺方面提供了帮助，由于美光与台积电都是3D Fabric联盟的成员，因此从开发的最初阶段就开始合作。

根据研究机构KED Global统计，美光在2023年第四季度的DRAM市场份额为20%，预计2025年，美光在HBM市场的份额将与DRAM相当。

据悉，美光8层堆叠的24GB HBM3E产品已于2024年2月开始量产，12层堆叠36GB HBM3E产品也已开始出样。

免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。

推荐阅读：