【导读】继NAND Flash从2023年下半年一路强势拉涨报价后,存储器模块业者传出,三星电子、美光等大厂,正规划第1季DRAM价格调涨15-20%。
继NAND Flash从2023年下半年一路强势拉涨报价后,存储器模块业者传出,三星电子、美光等大厂,正规划第1季DRAM价格调涨15-20%。
相较于2023年第4季DRAM价格相对持稳,业界研判,上游原厂涨价焦点将从NAND转移至DRAM,如DDR4、DDR5成下一波调涨重点,以加速改善营运亏损。
尽管市场需求尚未恢复稳定,但近期收到三星提出预告,第1季DRAM报价至少将调涨15%起跳,至于NAND涨幅虽然没有明确提出,但预料仍将继续调涨,价格涨势将延续至2024年底。
另有业者向客户提出通知,2024年第1季预期三星、美光将相继调涨DRAM报价约15-20%,由于12月DRAM报价仅微幅调涨2-3%,明显低于3D TLC NAND涨幅约10%的表现。
随着手机、服务器需求逐渐回升,预计2024年DRAM市场供应将持续紧张,从1月起将调涨DRAM新报价,借此催促客户须提前规划未来使用需求量。
业界认为,迈入2024年后,DRAM涨势风雨欲来,先前DDR4库存偏高,市场价格呈现疲弱,为了缩减亏损,预料2024年上半将锁定DDR4及DDR5成为涨价主力,至于DDR3产能及需求相对稳定,涨幅相对平缓。
虽然上游原厂从第1季启动DRAM补涨行情,业者认为并不意外,DRAM报价调涨动能主要仍来自于上游原厂的人为操作,且内部先前预判即将迎来单季涨幅约15-20%,近月来已陆续回补低价库存。
预计这波DRAM涨价由三星率先发动攻势,操作玩法几乎与2023年第3季NAND调涨相似,但未来DRAM涨幅能否如同NAND Wafer强劲攀升,需观察农历年后的市场需求表现。
韩系DRAM大厂在2023年下半已连续2个季度降低DRAM稼动率,但第4季晶圆产出进入谷底,以三星为例,第4季DRAM产出仅约2023年第1季的7成左右,同时也逐步增加高端制程的产出。
据了解,2024年第1季DRAM整体产能供应仍然节制谨慎,未来供应商将会持续减产成熟制程,并转向先进制程技术。
三大DRAM厂过去DDR4采用1X或1Y纳米制程,在2023年进入产品结束周期(EOL),三星及SK海力士将8Gb及16Gb产品改以1Z纳米节点为生产主力。
美光的成熟制程生产也进入尾声,DDR4全面推向至1α纳米制程,至于各家的DDR5 16Gb也将从1α转向至1β纳米的先进制程。
受到淡季及工厂盘点等影响,供应链需求释出量减少,业界指出,无论是DRAM或是NAND,2023年第4季上游供货状况并不紧缺,但前提是要能够接受原厂提出的价格,只要价格对了,原厂都有货可以卖。
显见市场实质买气并未复苏,短期内交易需求较为平淡,预料第1季上半及农历新年前,终端市场仍存在观望气氛,第1-2季将是关键,若主要应用出海口需求顺利衔接,存储器前景将确定大好,产业供不应求将无悬念。
业界预期,随着上游原厂酝酿2024年第1季调涨DRAM报价,多家块业者各自收到风声启动备货,预计供货给OEM厂的合约价可望延后一个季度跟进,预计从第2季起将全面反映DRAM涨势。
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