4月27日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司南通“高端功率半导体器件产业化项目”建设用地位于南通市苏锡通科技产业园区内，是配套无锡和上海MOSFET团队，目前项目（一期）正在基础设施及配套等建设的最后阶段，计划今年第三季度开始试生产。该项目将有助于推动高端功率半导体发展，满足下游市场需求，扩大市场占有率，缓解MOSFET产能紧张的问题等。

此外，二期项目也提上日程。4月25日，江苏捷捷微电子股份有限公司发布公告称，董事会会议同意公司在控股子公司捷捷（南通）科技有限公司建设“高端功率半导体产业化建设项目（二期）”，总投资约6.5亿元。

公告显示，本项目在“高端功率半导体产业化建设项目”的基础设施及配套的基础上，拟采用芯片线宽0.13微米先进工艺制程，新增硬件设备共68台（套），新增软件系统2套。

封面图片来源：拍信网