超1000亿，三星加码NAND闪存、晶圆代工等新技术研发
2022-08-22
近日，市场传出，半导体大厂三星电子将在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND Flash产品研发。
最新消息是，三星电子已于8月19日在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。
据韩联社报道，该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。
据悉，这是三星电子自2014年以来时隔8年在国内新建研发中心。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。
峰会报名推荐
9月7日（周三），TrendForce集邦咨询将在深圳南山区中洲万豪酒店隆重举办2022集邦咨询半导体峰会暨存储产业高层论坛。
考虑疫情等因素影响，本次峰会采取线下、线上结合方式，深圳为线下主会场，同时也将进行线上同步直播。目前峰会报名通道正式开启，欢迎业界人士踊跃报名参会！
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。