任何追求高品质音频再现的发烧友都需要一个 Hi-Fi 耳机放大器。强大的混合设计结合了真空管 (LAMP) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 两种强大组件的优点，可提供出色的声音性能。本文通过展示 LAMP 和 MOSFET 混合 Hi-Fi 耳机放大器的原理图电路图，让您了解该音频电路的神奇之处。

LAMP 和 MOSFET 组合式 Hi-Fi 耳机放大器由多种重要部件组成。 LAMP 的基本功能是电压放大器，可产生可识别的温暖且平滑的声音特征。 MOSFET 充当电流放大器，为 LAMP 信号增加了低失真和快速响应时间。

调节音量的顶级电位器是输入级的第一个组件。 LAMP管接收到此音频输入，开始以A类模式工作，以实现最大的线性放大。耦合电容器通过阻止来自 LAMP 的直流偏置来确保耳机仅接收交流音频信号。

之后将充当驱动级的 MOSFET 连接到 LAMP 的输出。根据单独的设计决策，MOSFET 可以在 A 类或 AB 类模式下运行，并提供所需的电流增益。 LAMP 和 MOSFET 的结合确保了音频流的高保真、低失真和忠实于源。

为了提高放大器的稳定性并降低谐波失真，可以使用全局负反馈环路。如果使用的话，这个反馈环路会将输出连接到 LAMP 的反相输入，控制整体增益并针对任何缺陷进行调整。

LAMP 和 MOSFET 组合的 Hi-Fi 耳机放大器电路是有鉴赏力的发烧友的流行选择，它在经典温暖和现代精度之间实现了迷人的平衡。这种巧妙的组合创造了高保真度、良好的音调平衡和更少失真的输出，为耳机用户带来无与伦比的聆听体验。为了获得预期的声音效果，必须充分考虑组件选择、接地和屏蔽，就像任何电子项目一样。发烧友可以以此原理图电路设计为起点，开始一段激动人心的旅程，打造一款高性能耳机放大器，将他们的音乐提升到听觉上的辉煌水平。