Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列

发布时间:2024-02-29  

专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。 


奈梅亨,2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示产品创新,今天宣布发布几款新型MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封装,体积缩小60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET 


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PoE交换机通常有多达48个端口,每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET,小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。为此,Nexperia发布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封装的100 V PoE ASFET,与以前采用LFPAK33封装的版本相比,占用的空间减少了60%。这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口,同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况,Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍,而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用,并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。


由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期,解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET(以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃)或安装外部电容缓冲器电路,但这种方法的缺点是会增加元件数量。Nexperia优化了其40 V NextPowerS3 MOSFET,以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能,同时还提供更高的效率。这些MOSFET采用LFPAK56封装,适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。


Nexperia MOSFET营销和产品部总监Chris Boyce说道:“通过在APEC 2024上推出我们的分立式FET解决方案的最新产品系列,Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改进的EMC性能都表明了我们坚定支持工程师克服各种应用挑战的决心。这些创新凸显了Nexperia致力于提供高效、紧凑和可靠的解决方案,帮助我们的客户在当今不断发展的市场中取得成功。”


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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