10月13日，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移，这是最重要的半导体制造工艺。

随着掩模技术的进一步改进，日本佳能公司预计，NIL（Nano Imprint Lithography，NIL）纳米压印技术将有可能支持电路图案化的最小线宽为10nm，相当于2nm节点。据悉，佳能于2014年收购了MII公司，将其更名为Canon Nanotechnologies，从此正式进入NIL市场。

纳米压印技术，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一种新型的微纳加工技术，最先由华裔科学家周郁（Stephen Chou）教授于1995年首次提出纳米压印概念。直到2003年，NIL作为一项微纳加工技术，被纳入国际半导体技术蓝图（ITRS）。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上。

佳能介绍称，传统的光刻设备通过将电路图案投射到涂有抗蚀剂的晶圆上，新产品则通过在晶圆上的抗蚀剂上压印有电路图案的掩模来实现这一点。由于其电路图案转移过程不经过光学机构，因此可以在晶圆上忠实地再现掩模上的精细电路图案。

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