6月28日，全球半导体设备大厂ASML与比利时微电子研究中心（IMEC）宣布，双方已签署备忘录，将在开发最先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线的下一阶段加强合作，为使用半导体技术的行业提供原型设计平台和未开发的未来机遇。

据了解，双方第一阶段的工艺研究正在使用第一台高级NA EUV扫描仪(TWINSCAN EXE：5000)在imec-ASML高级NA实验室中执行。IMEC和ASML将与所有领先的芯片制造商、材料和设备生态系统合作伙伴合作，目的是为最快可能地大规模制造做好技术准备。在下一阶段，这些活动将在比利时鲁汶市IMEC试点线的下一代高级NAEUV扫描仪(TWINSCAN EXE：200)上加速进行。

双方签署的谅解备忘录包括在比利时鲁汶的IMEC试验线安装和服务ASML的全部先进光刻和测量设备，包括最新的0.55NA EUV（TWINSCAN EXE:5200）、0.33NA EUV（TWINSCAN NXE:3800）、DUV浸没（TWINSCAN NXT:2100i）、Yieldstar光学测量和HMI多光束等。

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