6月28日,全球半导体设备大厂ASML与比利时微电子研究中心(IMEC)宣布,双方已签署备忘录,将在开发最先进高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻试验线的下一阶段加强合作,为使用半导体技术的行业提供原型设计平台和未开发的未来机遇。
据了解,双方第一阶段的工艺研究正在使用第一台高级NA EUV扫描仪(TWINSCAN EXE:5000)在imec-ASML高级NA实验室中执行。IMEC和ASML将与所有领先的芯片制造商、材料和设备生态系统合作伙伴合作,目的是为最快可能地大规模制造做好技术准备。在下一阶段,这些活动将在比利时鲁汶市IMEC试点线的下一代高级NAEUV扫描仪(TWINSCAN EXE:200)上加速进行。
双方签署的谅解备忘录包括在比利时鲁汶的IMEC试验线安装和服务ASML的全部先进光刻和测量设备,包括最新的0.55NA EUV(TWINSCAN EXE:5200)、0.33NA EUV(TWINSCAN NXE:3800)、DUV浸没(TWINSCAN NXT:2100i)、Yieldstar光学测量和HMI多光束等。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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