存储周期已到筑底期,Q4将迎来反转,急单需求是最好的证明

2023-05-26  

【导读】周四发布的一份行业报告显示,全球DRAM芯片需求预计最早将在7月超过供应,这一变化将减轻因芯片低迷而陷入困境的半导体公司的压力。市场研究公司集邦咨询在其5月报告中预计,今年全球DRAM需求预计将超过1054亿片,超过预估的1043亿片的供应量。在4月的报告中,该公司曾预计今年DRAM年供应量为1550亿片,需求为1460亿片,预计芯片供应过剩将继续损害全球芯片制造商的利润。


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存储芯片部分需求出现急单


5月24日,据台媒经济日报报道,存储厂商华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温,工控相关接单也持续发烫,客户急单涌入,而且“量也不少”。DRAM厂商南亚科表示,今年一季度是产业库存高点,在需求与供应端改善下,库存正逐步去化,预期本季DRAM市况有望落底,公司在部分应用领域已出现急单。威刚则认为,4月底存储芯片供应商减产态度明确后,DRAM现货价已落底,有助强化第2季及下半年营运稳健发展的动能。目前看来,下游库存接近健康水位。


头部原厂的出货量也好转。据Pulse News报导,多位半导体和证券业人士透露,三星本季DRAM出货量估季增15%至20%,扭转首季季减10%左右颓势。SK海力士本季出货量季增率估成长30%至50%,远高于市场共识的20%,透露DRAM市场氛围已改变。


芯片业库存水准预计将在下半年回稳。集邦预测,三星、SK海力士及美光等三大存储制造商的库存天数,将在第4季降至平均13周,少于第1季的平均16周。


TrendForce近期已调整了今年存储芯片供应过剩率预估值:其中,将DRAM预估值从此前的0.9%调整至-1%,将NAND Flash预估值从3%调降为-0.5%——正值意为供过于求,负值则为相反。这或许也意味着,今年DRAM与NAND Flash有望实现供需平衡甚至轻微供不应求。


原本业界普遍预期,DRAM市况要到下半年才会逐步复苏,随三星、SK海力士本季出货季成长率优于预期,后续预计有更多厂商接续感受到市况回温。


市场分析师把产业氛围转变,归因于业界从去年开始持续降低库存。此外,最近智能手机和服务器业者对供应合约的洽询数量已增加,且高频宽记忆体(HBM)和DDR5等高附加价值的DRAM需求成长,似乎帮助景气复苏。


DDR5等高附加价值产品的价格下跌趋势似乎也已停滞。集邦最近上调本季的伺服器用32GB DDR5平均固定交易价格预测,从75美元调高到80至90美元,反映DDR5相较于DDR4的需求仍高。


三星证券指出,用于AI伺服器的128GB DDR5价格,比64GB DDR4高出十倍,而且订单持续增加,高频宽记忆体的需求也热络。


基于目前供需关系,有分析师进一步指出,行业景气度位于底部区域,今年下半年需求有望触底回升。


不过,TrendForce之前另一篇报告曾表示,由于DRAM及NAND Flash供应商减产不及需求走弱速度,部分产品第二季均价季跌幅有扩大趋势。


如今SK海力士提高出货量、三星减产未久再度增加出货,是否会导致行业供需出现变化还有待观察。


存储周期底部企稳,龙头减产加速行业修复


按产品种类分,存储市场主要分为 DRAM、NAND、NOR Flash,其中 DRAM占据主要的市场规模。


DRAM 供给格局头部化效应明显,韩系厂商占据主要份额。根据Trendforce,22Q4 全球前三大 DRAM 厂商分别为韩国三星、韩国海力士与美国美光,三家厂商市占率合计为 95.8%。


NAND 竞争格局较 DRAM 分散,三星仍占据龙头地位;NOR Flash 龙头主要为台系与陆系厂商,兆易创新排名全球第三。


而从行业整体来看,存储芯片行业或已周期触底,即将迎来上升周期。


德邦证券指出以波谷算,存储行业周期约为 3-3.5 年,目前处于周期筑底阶段。相较于半导体其它行业,存储芯片具有大宗商品属性,国际龙头会在下游新兴需求诞生时提升自身产能;而当扩产落地时,行业进入供过于求周期,各厂商则会通过降价进行库存去化。供给与需求的错配使得存储行业具更强的周期性。


可以看到,在13Q2、16Q1、19Q3 左右,行业龙头合计营收增速处于周期谷底,对应增速分别为-7%、-29%、-38%。若以谷底计算,存储行业周期约为 3-3.5 年。22Q4,行业龙头合计营收增速为-44%,处于筑底阶段。若以三年计算,本轮下行周期预计在23Q3 前后结束。


从价格看,反映 DRAM 价格的 DXI 指数已接近 2020 年低值,目前行业价量齐跌。从 22Q1 开始,DXI 指数进入下行通道,指数有 41712 跌至 23Q1 的 22199,目前价格指数已接近 2020 年年初的水平。


而伴随国际各龙头厂商的减产,存储行业后续有望反转向上。目前,三星、海力士等存储龙头大都宣布下调未来产量与资本开支额。其中,海力士 23 年资本支出同比减少50%以上;美光宣布将所有DRAM和NAND晶圆产量减少约20%,德邦证券预计行业有望于 23Q2逐渐企稳,23Q3 逐步完成库存去化,23Q4 迎来周期反转。


国产替代全面进行时


根据ICInsights的统计信息,2021年全球存储市场份额基本被六大公司所垄断,具体份额如下:


DRAM市场:第一名、三星(韩国),市场份额为43.6%;第二名、SK海力士(韩国),市场份额为27.7%;第三名、美光(美国),市场份额为22.8%。三家公司合计占有94.1%的市场份额,可以说非常集中。


NAND 市场:第一名、三星(韩国),市场份额为34%;第二名、铠侠(日本),市场份额为19%;第三名、西部数据(美国),市场份额为14%;第四名、美光(美国),市场份额为11%;第五名、SK海力士(韩国),市场份额为11%;第六名、英特尔(美国),市场份额为9%。六家公司合计掌握了98%的市场份额,同样非常集中。


表面看起来,我们对这些公司依赖非常严重,但实际上,在存储芯片领域,国产替代已经全面开启,美光就是最好的例子。


其空下的市场,将会全部由内地公司取代,技术实力强大的长江存储将会迅速扩大市场,带动整个国内产业链。


上游设备、材料商,中游设计、制造、封测商,下游应用商将快速进行一次大规模的国产替代。


最为关键的是,此次国产替代以国家意志为主导,配合相关补贴、减税等政策,为整个行业带来全新的变化。


存储芯片打响了第一枪,逻辑芯片、手机SoC、电脑CPU、GPU还远吗?


来源:贤集网



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