联发科首颗 10 纳米制程芯片 HelioX30 将于 2017年第 1 季量产

发布时间:2016-10-18  

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半导体行业观察根据平面媒体 《Digitimes》的报导,中国台湾地区的IC 设计龙头联发科终于要补足在 10 纳米制程上没有产品的窘境。也就是联发科的第一颗 10 纳米制程芯片 Helio X30 将在 2017 年的第 1 季量产,届时不仅大幅提升芯片效能,还将追赶上高通、三星、苹果、华为海思,以及清华紫光旗下的展讯等竞争对手。

报导指出,日前联发科的营运长朱尚祖指出,该公司的首颗 16 纳米制程芯片 Helio P20 (内含 8 个 A53 核心)将在 2016 年的 11 月正式量产,而这个时间点距离 2016 年 2 月发布的时间接近 1 年。这样的时程其实已经落后竞争对手,包括高通、三星、苹果、华为海思等,甚至清华紫光集团旗下的展讯,首颗 16 纳米制程的八核心处理器 SC9860 在 5 月份就已经量产出货了。

因此,为了填补这样的空缺,联发科积极把 10 纳米制程的 HelioX30 芯片规划至 2017 年第 1 季开始进行量产。这样的时程,不仅早于苹果的 A11 处理器,甚至还有望比高通与三星抢先一步。

未来的联发科 Helio X30 处理器,将是联发科的第 2 代 10 核心处理器。据了解,除了制程将由目前的 20 纳米,提升到 10 纳米制程之外。就效能面来观察,其核心包括 2 个 2.8GHz A73 、4 个 2.2GHz A53 以及 4 个 2GHz A35 核心。GPU 部分则定制为 4 核心 PowerVR 7XT GPU ,同时支持 2,600 万画数的摄影镜头、双摄影镜头以及虚拟现实的应用等。

而内存方面,Helio X30 将会支持 4 通道的 LPDDR4 ,最大容量 8GB ,储存方面则加入最新的 UFS 2.1 技术标准。基频架构未来将支持 3 载波聚合,包括 Cat.10 到 Cat.12 的全频段,未来将定位在中高端智能手机上使用。

(首图来源:《科技新报》摄)

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