12月1日，据报道，意法半导体和Soitec宣布下一阶段的碳化硅（SiC）衬底合作，意法半导体计划在未来18个月内对Soitec的SiC衬底技术进行认证。

此次合作的目标是意法半导体在未来的8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，为其器件和模块制造业务提供动力，预计将在中期量产。

“向8英寸SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大的优势，因为他们加速了向系统和产品电气化的过渡。“意法半导体汽车和分立器件业务部总裁Marco Monti表示。

“随着电动汽车的出现，汽车行业正面临重大颠覆。我们尖端的SmartSiC™技术使我们独特的SmartCut™工艺适应碳化硅半导体，将在加速其采用方面发挥关键作用，“Soitec首席运营官Bernard Aspar说。Soitec的SmartSiC™衬底与意法半导体业界领先的碳化硅技术和专业知识相结合，将改变汽车芯片制造的游戏规则，树立新的标准。

SiC是一种具有内在特性的颠覆性化合物半导体材料，在电动汽车和工业流程等关键、高增长的功率应用中提供优于硅的性能和效率。它可实现更高效的电源转换、更轻、更紧凑的设计，并节省整体系统设计成本，这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和因素。

从6英寸晶圆过渡到8英寸晶圆将大幅提高产能，制造集成电路的有用面积提升几乎两倍，每个晶圆可以提升1.8-1.9倍的工作芯片。

值得注意的是，今年10月，意法半导体表示将在意大利建造一座价值7.3亿欧元（约合人民币50.28亿元），年产超过37万片的衬底项目，借此实现40%碳化硅衬底的自主供应。

此前，为了提高欧洲的生产能力，欧盟推出了《芯片法案》，欧盟拟动用超过430亿欧元的公共和私有资金，用于支持芯片生产、试点项目和初创企业。通过增加投资、加强研发，扩大欧盟芯片产能在全球市场占比，并防止对国际市场过度依赖。

意法半导体表示，新的集成SiC衬底制造设施将满足汽车和工业客户在向电气化过渡期间不断增长的需求。这项为期五年的投资将于2026年完成，将得到意大利2.925亿欧元的公共资金的支持，作为该国国家恢复和复原计划的一部分，并获得欧盟委员会的批准。

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